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机译:尺寸受控的硅纳米晶体中的施主电离:从缺陷钝化到自由电子生成的过渡
Crowe, IF; Papachristodoulou, N; Halsall, MP; Hylton, NP; Hulko, O; Knights, AP; Yang, P; Gwilliam, RM; Shah, M; Kenyon, AJ;
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法在无氮二氧化硅基质中形成尺寸受控的硅纳米晶体
机译:P供体的氢钝化和激光烧蚀合成的P掺杂硅纳米线中的缺陷
机译:硅纳米晶体和缺陷状态在硅富硅氮化硅中用于光电应用
机译:缺陷诱导发光猝灭与掺入硅纳米晶体中的磷的电荷载流子生成随尺寸的变化
机译:尺寸受控的硅纳米晶体中的供体电离:从缺陷钝化到自由电子产生的转变
机译:用于制造电子部件的硅半导体晶片的生产包括控制提拉速率与轴向温度梯度的比率,以在单晶中产生超过临界尺寸的聚集空位缺陷。
机译:用于制造电子部件的硅半导体晶片的生产包括控制提拉速率与轴向温度梯度的比率,以在单晶中产生超过临界尺寸的团聚空位缺陷。
机译:无铅钙钛矿纳米晶体合成方法和无铅钙钛矿纳米晶体由此合成
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